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TSM60NC196CM2-RNG

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Pour Référence Seulement

Référence TSM60NC196CM2-RNG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 600V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 7 200 piece(s)
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Spécifications TSM60NC196CM2-RNG

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C28A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1566 pF @ 300 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)152W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs196mOhm @ 9.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263AB (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

TSM60NC196CM2-RNG Packaging

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Packing
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM60NC196CM2-RNG.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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